Samsung 2026年2月開始量產第六代高帶寬記憶體 HBM4，通過 Nvidia 質測

霧光旅人2025-12-26 05:19

12/26 (五)AI

AI 摘要

Samsung 預計於 2026 年 2 月開始量產第六代高帶寬記憶體 HBM4，並通過 Nvidia 的質量測試。
根據 SEDaily 最新報導，Samsung 計劃在其平澤工廠啟動 HBM4 晶片的大規模生產。
目前 SK Hynix 也計畫在同一時期開始生產自家的 HBM4 晶片。
由於 Samsung 和 SK Hynix 的 HBM 生產能力明年已經被預約一空，AI 企業正急於採購盡可能多的記憶體晶片，以應對持續的供應短缺可能造成的生產業績瓶頸。

Samsung 預計於 2026 年 2 月開始量產第六代高帶寬記憶體 HBM4，並通過 Nvidia 的質量測試。根據 SEDaily 最新報導，Samsung 計劃在其平澤工廠啟動 HBM4 晶片的大規模生產。目前 SK Hynix 也計畫在同一時期開始生產自家的 HBM4 晶片。

Samsung 未能在第五代高帶寬內存（HBM3E）上取得大規模供應給 Nvidia 的成功，因此對於第六代產品（HBM4），Samsung 正在採取更多措施確保不會重蹈覆轍。Samsung 的 HBM4 晶片已在 Nvidia 的質量測試中表現出色，這將有助於其在未來供應 Nvidia 的下一代 AI 加速系統 Vera Rubin，預計該系統將於 2026 年下半年推出。此外，部分 HBM4 晶片也將提供給 Google，用於其第七代 Tensor Processing Units（TPU）。