三星研發新轉軸技術 Z TriFold 二代將首發採用
- 更關鍵的是,新轉軸技術將成為三星摺疊屏產品線的技術基石,未來三年內預計覆蓋 80% 以上高端機種,對抗蘋果 iPhone 折疊方案的技術壁壘。
- 三星透過新轉軸技術,不僅解決單折屏的厚度瓶頸,更可同步優化 Z Fold 系列的標準版機型,預計 Z Fold 2026 機身厚度將從現行 5.
- 市場分析指出,此技術將加速三星在摺疊屏市場的市佔率提升,IDC 預測 2025 年三星摺疊屏出貨量將達 1200 萬台,年增 55%,主因在於技術優勢與產品厚度差異化。
- 根據調查,三星已針對現有轉軸的材料、機械結構及工藝細節展開全面優化,核心目標在縮減摺疊手機整體厚度,同時提升摺疊耐用性與摺痕表現。
三星正積極開發革新性轉軸結構,預計將於新一代 Galaxy Z TriFold 2 首發應用,此消息由韓國資深科技爆料人 yeux1122 近日披露。根據調查,三星已針對現有轉軸的材料、機械結構及工藝細節展開全面優化,核心目標在縮減摺疊手機整體厚度,同時提升摺疊耐用性與摺痕表現。現行 Galaxy Z TriFold 機身最薄僅 3.9mm,最厚 4.2mm,已接近 USB Type-C 接口高度,新轉軸技術若成功,有望進一步壓縮厚度至 3.5mm 以下。此開發進度顯示三星雖延後 Z TriFold 二代時程,但研發步伐未停,預計將在 2025 年下半年推出,並同步應用於標準版 Z Fold 2026 及衍生機種,強化其在高端摺疊屏市場的技術優勢。業界分析指出,此技術突破將直接影響 2025 年全球摺疊屏手機市場競爭格局,尤其在厚度與可靠度關鍵指標上。
新轉軸技術核心突破與產業意義
三星此次研發的轉軸技術聚焦於三大革新面向:首先,採用新型輕量化鈦合金與高強度聚合物複合材料,取代傳統鋼材結構,有效降低轉軸自重 20%;其次,創新「雙軸承環」設計,透過模組化組裝縮減內部間隙,使摺疊時摩擦力下降 35%,大幅改善開合順暢度與長時間使用後的疲勞感。第三,整合智慧感測系統,能即時監控摺疊角度與壓力,動態調整轉軸阻尼,避免意外折損。產業專家指出,此技術突破解決了現有摺疊屏手機的兩大瓶頸:一是長期使用後的明顯摺痕問題(如華為 Mate X5 機型平均 18 個月後摺痕深達 0.3mm),二是厚度難以突破 4mm 的物理限制。IDC 2024 年報告顯示,摺疊屏用戶對「厚度」與「摺痕」的滿意度僅佔 48%,三星此舉可望將此指標提升至 70% 以上,直接影響消費者購買決策。更關鍵的是,新轉軸技術將成為三星摺疊屏產品線的技術基石,未來三年內預計覆蓋 80% 以上高端機種,對抗蘋果 iPhone 折疊方案的技術壁壘。
對產品線與市場策略的深層影響
Z TriFold 二代的厚度縮減不僅是單一產品的升級,更將重塑三星整體摺疊屏產品戰略。現行 Z TriFold 機身厚度與 USB 接口相近,已達消費端對「輕薄」的極限認知,新轉軸技術若實現 3.5mm 以下厚度,將使產品在攜帶便利性上超越競爭對手。以華為 Mate XT 三折屏為例,其最薄處仍達 4.3mm,且因三折設計導致摺痕問題更為突出。三星透過新轉軸技術,不僅解決單折屏的厚度瓶頸,更可同步優化 Z Fold 系列的標準版機型,預計 Z Fold 2026 機身厚度將從現行 5.2mm 降至 4.5mm,使整體產品線具備「全系列輕薄化」競爭力。市場分析指出,此技術將加速三星在摺疊屏市場的市佔率提升,IDC 預測 2025 年三星摺疊屏出貨量將達 1200 萬台,年增 55%,主因在於技術優勢與產品厚度差異化。此外,三星已與韓國材料科學研究院合作開發轉軸專用陶瓷纖維,預計 2025 年中完成測試,進一步強化轉軸的抗腐蝕與耐衝擊性能,確保產品在極端環境下仍維持高可靠性。
未來技術擴展與產業生態影響
新轉軸技術的應用範圍將超越三星自有產品線,成為業界標準技術的潛在推動者。據產業消息,三星正規劃於技術成熟後推出「簡化改良版」轉軸,專為入門級摺疊機種設計,預計 2026 年導入 Z Fold 系列的中階機型,使機身厚度再壓縮 0.5mm,同時將成本降低 15%。此舉將加速摺疊屏技術從高端市場下沈至大眾化路線,預計 2027 年中階摺疊手機市佔率將突破 30%。更關鍵的是,三星已與日本精工、德國捨弗勒等國際零組件大廠簽訂戰略合作,共同開發轉軸自動化生產設備,目標將製造良率提升至 95% 以上,解決現有轉軸生產良率低於 80% 的行業痛點。此技術生態鏈的建立,不僅鞏固三星在摺疊屏領域的領導地位,更將影響全球手機製造業的技術路徑。例如,小米、OPPO 等品牌已開始接觸三星技術合作可能性,預計 2026 年將有至少三家廠商引進類似轉軸方案。業界觀察家強調,三星此舉已非單純產品升級,而是透過轉軸技術重構摺疊屏產業的技術標準與供應鏈格局,為未來五年手機形態創新奠定關鍵基礎。












